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以AlN和AlSiC等材料取代DBC中的

编辑:呼和浩特矿用变压器厂家 日期:2018-12-24 人气:55

以AlN和AlSiC等材料取代DBC中的

  秉承“质量,信誉;服务于客户,让利于客户”的宗旨,专业分销Infineon(英飞凌)、MITSUBISHI(三菱)、SEMIKRON(西门康)、IXYS(艾赛斯)、FUJI(富士)、DYNEX(丹尼克斯)功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅、三菱PLC、ABB驱动板;专注为呼和浩特矿用变压器电源、逆变电源、电力电源、电焊机、变频器、不间断电源、通信电源等能量控制与变换产品提供核心的半导体功率器件。 罗兰代理6,9URD31D08A0800

 矿用变压器 车用IGBT的散热效率要求比工业级要高得多,逆变器内温度可达大20度,同时还要考虑强振动条件,车规级的IGBT远在工业级之上。

  解决散热的点,就是提高IGBT模块内部的导热导电性能、耐受功率循环的能力,IGBT的关键有两点,一是散热,二是背板工艺。 BUSSMANN呼和浩特矿用变压器1 70M6905

  第二点,新的焊接工艺,传统焊料为锡铅合金,成本低廉、工艺简单,但存在环境污染问题,且车用功率模块的芯片温度已经接近锡铅焊料熔点(220℃)。IGBT的关键有两点,一是散热,二是背板工艺。西门康代理SKM100GB128D

  解决该问题的新技术主要有:低温银烧结技术和瞬态液相扩散焊接。呼和浩特矿用变压器与传统工艺相比,银烧结技术的导热性、耐热性更好,具有更高的可靠性。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货

  瞬态液相扩散焊接通过特殊工艺形成金属合金层,熔点比传统焊料高,机械性能更好。三菱则使用超声波焊接。

  第三点,改进DBC和模块底板,降低散热热阻, 提高热可靠性, 减小体积,降低成本等。Al2O3和Si3N4等常规陶瓷,热导率更高,与Si材料的热膨胀系数匹配更好。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 这些工艺不仅需要长期摸索,同时还需要针对工艺开发生产设备,只有对生产线和设备都非常精通的企业才能胜任。

  此外,新型的散热结构,如Pin Fin结构 和Shower Power结构, 能够显著降低模块的整体热阻,提高散热效率。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 这些工艺不仅需要长期摸索,同时还需要针对工艺开发生产设备,只有对生产线和设备都非常精通的企业才能胜任。

  第四点,就是扩大模块与散热底板间的连接面积,如端子压接技术。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier) 可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点呼和浩特矿用变压器等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。

  散热的关键是材料,而材料科学是一个国家基础科学的体现,中国在这方面非常落后,日本则遥遥,不仅在德国之上,还在美国之上。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 然后是清洗,接下来金属化,在背面蒸镀一层钛或银,后是Alloy,因为硅片太薄,很容易翘曲或碎片。英飞凌特别擅长减薄技术。 罗兰代理6,9GRB000D08/32

  IGBT的下一代SiC(碳化硅)技术已经崭露头角,鉴于它的重要性,丰田决定完全自主生产,呼和浩特矿用变压器实际丰田SiC的研究自上世纪80年代就开始了,足足全球30年。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 然后是清洗,接下来金属化,在背面蒸镀一层钛或银,后是Alloy,因为硅片太薄,很容易翘曲或碎片。英飞凌特别擅长减薄技术。

  SiC能将新能源车的效率再提高10%,这是新能源车提高效率的技术。丰田汽车就表示:“SiC具有与汽油发动机同等的重要性。”FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货

  目前限制SiC应用主要是两方面,一是价格,其价格是传统Si型IGBT的6倍。其次是电磁干扰。呼和浩特矿用变压器SiC的呼和浩特矿用变压器频率远高于传统Si型IGBT,回路寄生参数已经大到无法忽略。

  SiC基板是关键,落后日本企业很多的英飞凌在2016年7月决定收购美国CREE集团旗下的电源和RF部门(“Wolfspeed”),其核心就是SiC基板技术。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 BUSSMANN代理1 70M6826

  不过在2017年2月,美国的外国投资委 员会(CFIUS)以关系到国家安全的原因否定了这项收购,美国之所以否定这项收购,是保护美国为数极少的先进工业技术,对日本厂家来说,SiC基板都没有丝毫难度,三菱、丰田、罗姆、富士电机、日立、瑞萨、东芝都有能力自己制造,全部是内部开发的技术。意法半导体技术也不错。FERRAZ呼和浩特矿用变压器现货 BUSSMANN代理1 70M0278 然后是清洗,接下来金矿用变压器属化,在背面蒸镀一层钛或银,后是Alloy,因为硅片太薄,很容易翘曲或碎片。英飞凌特别擅长减薄技术。

  2014年5月20日,鉴于SiC的重要性,丰田特别召开了新闻发布会,宣布与电装、丰田中央研究所合作开发出了SiC功率半导体。秉承“质量,信誉;服务于客户,让利于客户”的宗旨,专业分销Infineon(英飞凌)、MITSUBISHI(三菱)、SEMIKRON(西门康)、IXYS(艾赛斯)、FUJI(富士)、DYNEX(丹尼克斯)功率模块IGBT、IPM、PIM、整流桥、可控硅、三菱PLC、ABB驱动板;专注为呼和浩特矿用变压器电源、逆变电源、电力电源、电焊机、变频器、不间断电源、通信电源等能量控制与变换产品提供核心的半导体功率器件。
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